Microchip JAN1N645-1

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Risk Rank

1.91

Package Description

HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N645-1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Package

Bulk

Base Product Number

1N645

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

225 V

Ir - Reverse Current

50 nA

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

If - Forward Current

400 mA

系列

Military, MIL-PRF-19500/240

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

标准恢复整流器

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.70

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 225 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 400 mA

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

5 A

输出电流-最大值

0.4 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

225 V

平均整流电流（Io）

400mA

Rep Pk反向电压-最大值

225 V

JEDEC-95代码

DO-35

电容@Vr, F

-

恢复时间

-

Vf-正向电压

1 V