Microchip JAN1N6471

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

13.6 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.026455 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

374 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Base Product Number

1N647

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN1N647-1

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.87

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/552

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

额定电流

20 uA

参考标准

MIL-19500/240J

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

Qualified

工作电压

12 V

极性

单向

配置

SINGLE

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 400 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 400 mA

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.6V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

374A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

22.6V

箝位电压

22.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

0.15 A

单向通道

1

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

400 V

平均整流电流（Io）

400mA

产品类别

TVS 二极管

电容@Vr, F

-

电容@频率

-

产品

Rectifiers

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes