JAN1N649-1详情
Microchip JAN1N649-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
供应商器件包装
DO-35 (DO-204AH)
Qualification
AEC-Q200
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Vr - Reverse Voltage
600 V
Ir - Reverse Current
50 nA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.016491 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
If - Forward Current
400 mA
RoHS
N
Base Product Number
1N649
系列
Military, MIL-PRF-19500/406
包装
Bulk
温度系数
100 ppm/K
类型
标准恢复整流器
电阻
47.5 kOhm
子类别
Diodes & Rectifiers
额定功率
0.5 W
技术
Standard
电阻器类型
通用型
配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
50 nA @ 600 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 400 mA
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
最大浪涌电流
5 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600 V
平均整流电流(Io)
400mA
产品类别
齐纳二极管
电容@Vr, F
-
电阻公差
1
恢复时间
-
产品
Rectifiers
Vf-正向电压
1 V
产品类别
齐纳二极管
产品长度
3.2 mm
产品宽度
2.5 mm
JAN1N649-1拓展信息
Microchip Technology
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