JAN1N6625US详情
Microchip JAN1N6625US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, A
表面安装
YES
供应商器件包装
D-5A
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Bulk
Base Product Number
1N6625
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Mounting Styles
SMD/SMT
Package Description
HERMETIC SEALED, GLASS, D-5A, 2 PIN
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N6625US
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.28
系列
Military, MIL-PRF-19500/585
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
技术
AVALANCHE
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
1 µA @ 1100 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.75 V @ 1 A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 150°C
输出电流-最大值
1 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1100 V
平均整流电流(Io)
1A
Rep Pk反向电压-最大值
1000 V
电容@Vr, F
10pF @ 10V, 1MHz
反向恢复时间-最大值
0.08 µs
反向恢复时间(trr)
60 ns
JAN1N6625US拓展信息
Microchip Technology
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