JAN1N914UR详情
Microchip JAN1N914UR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
0603
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Bourns Inc.
Product Status
活跃
Base Product Number
1N914
RoHS
Non-Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
GLASS
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN1N914UR
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.33
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
CR
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±200ppm/°C
电阻
3 Ohms
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.1W, 1/10W
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
Standard
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/116L
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
失败率
-
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
500 nA @ 75 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 50 mA
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
输出电流-最大值
0.075 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
75 V
平均整流电流(Io)
200mA
正向电压
1.2 V
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
反向恢复时间
5 ns
峰值反向电流
500 nA
最大重复反向电压(Vrrm)
75 V
电容@Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
2 A
反向恢复时间-最大值
0.005 µs
反向恢复时间(trr)
20 ns
特征
-
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
JAN1N914UR拓展信息
Microchip Technology
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