Microchip JAN2N1482

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/207

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

极性

NPN

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

55 V

最大集电极电流

1.5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 200mA, 4V

最大集极截止电流

5µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

55 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

12 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无