Microchip JAN2N1711

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-5-3

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

90

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

500 mA

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Schedule B

8541210080

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

系列

pushPIN™

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

零件状态

活跃

类型

顶部安装

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

极性

NPN

配置

Single

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.394 (10.00mm)

强制空气流动时的热阻

10.46°C/W @ 100 LFM

功率耗散

3

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

连续集电极电流

500

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

1.772 (45.00mm)

长度

1.772 (45.00mm)

直径

--

辐射硬化

无