Microchip JAN2N2219A

表面安装

NO

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N2219A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

1.56

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

35 at 1mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.117157 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

800 mA

DC Current Gain hFE Max

150 at 1 mA, 10 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2219

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/251

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/251

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

3

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT