JAN2N2221A详情
Microchip JAN2N2221A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
通孔
引脚数
3
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SXT224
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
类型
兆赫晶体
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
最大功率耗散
500 mW
技术
Si
频率
13.56 MHz
频率稳定性
±30ppm
ESR(等效串联电阻)
120 Ohms
负载电容
17pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±30ppm
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
800 mA
集电极基极电压(VCBO)
75 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
JAN2N2221A拓展信息
Microchip Technology
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