Microchip JAN2N2222A

包装/外壳

TO-18-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-218

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Unit Weight

0.081218 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

800 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/255

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

连续集电极电流

800

产品类别

Bipolar Transistors - BJT