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'jan2n2222aub'

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对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

越来越多的功能

引脚数

触点形状

外壳材料

供应商器件包装

材料

插入材料

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

ECCN 代码

连接器类型

类型

定位的数量

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

紧固类型

子类别

触点类型

最大功率耗散

技术

端子位置

方向

终端形式

屏蔽/屏蔽

峰值回流焊温度(摄氏度)

入口保护

Reach合规守则

外壳完成

引脚数量

参考标准

外壳尺寸-插入

JESD-30代码

资历状况

房屋颜色

极性

配置

注意

功率耗散

外壳尺寸,MIL

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

包括

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极基极电压(VCBO)

最大耗散功率(Abs)

发射极基极电压 (VEBO)

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益(hFE)

连续集电极电流

集电极-发射器电压-最大值

特征

产品类别

高度

材料可燃性等级

辐射硬化

RoHS状态

JAN2N2222AUB
JAN2N2222AUB
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)

表面贴装

表面贴装

3-SMD, Non-Standard

3

50V

800mA

500mW

1

-65°C~200°C TJ

Bulk

2007

Military, MIL-PRF-19500/255

活跃

1 (Unlimited)

200°C

-65°C

NPN

500mW

500mW

NPN

50V

800mA

100 @ 150mA 10V

50nA

1V @ 50mA, 500mA

50V

75V

6V

无

Non-RoHS Compliant

JAN2N2222AUB
JAN2N2222AUB
Aeroflex 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4

Si

Compliant

EAR99

无

无

双极电源

1

75

50

6

1.2@15mA@150mA|2@50mA@500mA

0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA

0.8

[email protected]@10V|75@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V

500

-65

200

Military

表面贴装

1.42(Max)

2.74(Max)

3.25(Max)

4

UB型壳体

Waffle

活跃

NPN

Single

JAN2N2222AUB
JAN2N2222AUB
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面贴装

表面贴装

3-SMD, Non-Standard

YES

3

UB

3

SILICON

1 V

500 mW

+ 200 C

30

- 65 C

SMD/SMT

-

微芯片技术

800 mA

50 V

JAN2N2222AUB

有

接触制造商

SEMICOA CORP

SOT

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

5.02

1

200 °C

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

RECTANGULAR

小概要

未说明

250 MHz

NPN

8541210080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080

50 V

75

Non-Compliant

Bulk

800 mA

2N2222

活跃

6 V

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/255

EAR99

200 °C

-65 °C

8541.21.00.95

500 mW

Si

DUAL

无铅

未说明

compliant

3

MIL-19500/255

R-CDSO-N3

Qualified

NPN

SINGLE

500

500 mW

SWITCHING

NPN

NPN

50 V

800 mA

100 @ 150mA, 10V

50nA

1V @ 50mA, 500mA

50 V

-

75 V

0.5 W

6 V

0.8 A

30

800

50 V

1.42 mm

无

JAN2N2222AUBC
JAN2N2222AUBC
Semicoa 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Free Hanging (In-Line)

--

Circular

铝合金

--

--

16 (8), 20 (48)

-65°C ~ 175°C

Bulk

Military, MIL-DTL-38999 Series II, JT

活跃

--

Plug Housing

用于内螺纹插座

56

卡口锁

Crimp

N (Normal)

Unshielded

抗环境干扰

镉比镍

24-4

橄榄色

不包括触点

--

--

联接螺母

--

JAN2N2222AUBP
JAN2N2222AUBP
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

UB

微芯片技术

1

Microchip

Microchip / Microsemi

N

Bulk

活跃

800 mA

-65°C ~ 200°C (TJ)

-

500 mW

NPN

100 @ 150mA, 10V

50nA

1V @ 50mA, 500mA

50 V

-

微芯片技术

JAN2N2222AUB/TR
JAN2N2222AUB/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, Non-Standard

UB

300 mV

微芯片技术

500 mW

NPN

+ 200 C

30 at 500mA, 10 V

- 65 C

1

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

800 mA

325 at 1 mA, 10 V

N

50 V

Tape & Reel (TR)

活跃

800 mA

6 V

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/255

Transistors

Si

Single

500 mW

BJTs - Bipolar Transistors

NPN

100 @ 150mA, 10V

50nA

1V @ 50mA, 500mA

50 V

-

75 V

Bipolar Transistors - BJT

JAN2N2222AUBP/TR
JAN2N2222AUBP/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

UB

微芯片技术

1

Microchip

Microchip / Microsemi

N

Tape & Reel (TR)

活跃

800 mA

-65°C ~ 200°C (TJ)

-

500 mW

NPN

100 @ 150mA, 10V

50nA

1V @ 50mA, 500mA

50 V

-

微芯片技术