Jan2N2369AUA
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Microchip Jan2N2369AUA

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型号

Jan2N2369AUA

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-Jan2N2369AUA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

24-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 15V TO18

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1最小包装量--

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Jan2N2369AUA
Jan2N2369AUA Microchip TRANS NPN 15V TO18

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Jan2N2369AUA详情

Microchip Jan2N2369AUA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    24-TSSOP

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Base Product Number

    MAX9602

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • Package

    Tube

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    Obsolete

  • Number of Elements

    4

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Manufacturer

    Microchip

  • RoHS

    N

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    JAN2N2369AUA

  • Turn-on Time-Max (ton)

    12 ns

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Turn-off Time-Max (toff)

    18 ns

  • Risk Rank

    5.28

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    -

  • 包装

    Waffle

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 类型

    通用型

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    4

  • 参考标准

    MIL-19500

  • JESD-30代码

    R-XDSO-N4

  • 资历状况

    Qualified

  • 输出类型

    Complementary, Differential, ECL

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    360 mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 电压 - 电源,单/双路(±)

    -

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    20 @ 100mA, 1V

  • 最大集极截止电流

    400nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    450mV @ 10mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    15 V

  • 频率转换

    -

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.2 W

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 最大静态电流

    39mA

  • 电压 - 输入断态 (最小值)

    5mV @ -5.2V, 5V

  • 最大输入偏正电流

    6µA @ -5.2V,5V

  • 集电极-发射器电压-最大值

    15 V

  • 迟滞

    30mV

  • 共模抑制比/电源抑制比(类比)

    70dB CMRR, 65dB PSRR

  • 输出电流(典型值)

    50mA

  • 传播延迟(最大)

    0.5ns

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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