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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 类型 | 端子表面处理 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值） | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 最小直流增益（hFE） | 集电极-发射器电压-最大值 | 关断时间-最大值（toff) | 接通时间-最大值(ton) | 产品类别 | 辐射硬化 | RoHS状态 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | JAN2N2369AUB | Aeroflex | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 | Si | Compliant | EAR99 | 无 | 无 | 双极电源 | 1 | 40 | 15 | 4.5 | 0.85@1mA@10mA|0.9@3mA@30mA|1.2@10mA@100mA | 0.2@1mA@10mA|0.25@3mA@30mA|0.45@10mA@100mA | 10000 | 40@[email protected]|40@10mA@1V|30@[email protected]|20@100mA@1V | 360 | -65 | 200 | Military | 表面贴装 | 1.42(Max) | 2.74(Max) | 3.25(Max) | 4 | UB型壳体 | Waffle | 活跃 | NPN | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N2369AUB | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | YES | UB | 3 | SILICON | 微芯片技术 | 5.18 | 1 | 200 °C | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | 18 ns | 12 ns | 1 | Microchip / Microsemi | N | Bulk | 2N2369 | 活跃 | JAN2N2369AUB | 无 | 活跃 | MICROSEMI CORP | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | -65°C ~ 200°C (TJ) | Waffle | Military, MIL-PRF-19500/317 | e0 | 无 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.21.00.95 | Si | DUAL | 无铅 | 未说明 | compliant | 3 | MIL-19500/317 | R-CDSO-N3 | Qualified | SINGLE | 360 mW | SWITCHING | NPN | BJTs - Bipolar Transistors | NPN | 20 @ 100mA, 1V | 400nA | 450mV @ 10mA, 100mA | 20 V | - | 1.4 W | 20 | 20 V | Bipolar Transistors - BJT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2369AUB | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 23 Weeks | IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | 3 | SILICON | 15V | 360mW | 1 | -65°C~200°C TJ | Bulk | 2007 | Military, MIL-PRF-19500/317 | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8541.21.00.95 | DUAL | Qualified | SINGLE | 360mW | SWITCHING | NPN | NPN | 450mV | 400nA | 20 @ 100mA 1V | 450mV @ 10mA, 100mA | 40V | 18ns | 12ns | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N2369AUB/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 3-SMD, No Lead | UB | 200 mV | 微芯片技术 | 1 | SMD/SMT | Microchip | Microchip / Microsemi | 100 mA | 120 at 100 mA, 1 V | N | 15 V | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 4.5 V | 360 mW | NPN | + 200 C | 20 at 100mA, 1 V | - 65 C | -65°C ~ 200°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500/317 | Transistors | Si | Single | 360 mW | BJTs - Bipolar Transistors | NPN | 20 @ 100mA, 1V | 400nA | 450mV @ 10mA, 100mA | 20 V | - | 40 V | Bipolar Transistors - BJT |
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