Microchip JAN2N2432

包装/外壳

TO-18-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

RoHS

N

DC Current Gain hFE Max

400

Maximum DC Collector Current

100 mA

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

150 uV

DC Collector/Base Gain hfe Min

2

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Transistor Polarity

NPN

Pd - Power Dissipation

600 mW

Emitter- Base Voltage VEBO

15 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

系列

pushPIN™

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

零件状态

活跃

类型

顶部安装

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.394 (10.00mm)

强制空气流动时的热阻

10.46°C/W @ 100 LFM

功率 - 最大

360 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

30 V

连续集电极电流

100 mA

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

1.772 (45.00mm)

长度

1.772 (45.00mm)

直径

--