Microchip JAN2N2904

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

Package

Bulk

厂商

HARTING

Product Status

Obsolete

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2904

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

系列

*

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

包装

Bulk

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

600 mW

技术

Si

功率 - 最大

600 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 10mA, 10V

最大集极截止电流

1µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无