Microchip JAN2N2907A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

工厂交货时间

22 Weeks

包装/外壳

TO-18-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Unit Weight

0.082453 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

600 mA

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600 mA

Base Product Number

2N2907

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N2907A

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

4.44

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/291

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/291

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

500

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

600

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅