Microchip JAN2N2920

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

底架

通孔

引脚数

6

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Package Style

CYLINDRICAL

Package Shape

ROUND

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

175 °C

Number of Elements

2

Risk Rank

5.18

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W6

Part Package Code

TO-78

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N2920

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Base Product Number

2N2920

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

175

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

600

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Schedule B

8541210080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/355

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

350 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

参考标准

MIL-19500/355J

JESD-30代码

O-MBCY-W6

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

30 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

70 V

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

300

连续集电极电流

30 mA

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无