Microchip JAN2N3019

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Unit Weight

0.406091 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3019

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Part Package Code

BCY

Risk Rank

2.15

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

JAN2N3019

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/391

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/391H

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

5

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT