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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥145.334414
10
¥137.107944
100
¥129.347113
500
¥122.025577
1000
¥115.118469
JAN2N3418S详情
Microchip JAN2N3418S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Panel Mount, Through Hole
底架
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
越来越多的功能
Bulkhead - Front Side Nut
引脚数
3
外壳材料
Aluminum
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
插入材料
-
后壳材料,电镀
-
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Metal
Base Product Number
TV07DZ
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Current-Collector (Ic) (Max)
3 A
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
包装
Bulk
终端
Solder
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
121
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
颜色
Black
应用
Military
紧固类型
Threaded
子类别
Transistors
额定电流
-
最大功率耗散
1 W
技术
Si
方向
D
屏蔽/屏蔽
Unshielded
入口保护
抗环境干扰
外壳完成
黑锌镍
外壳尺寸-插入
21-121
外壳尺寸,MIL
-
功率 - 最大
1 W
电缆开口
-
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
3 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A, 2V
最大集极截止电流
5µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
85 V
特征
校准盘
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
辐射硬化
无
JAN2N3418S拓展信息
Microchip Technology
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