Microchip JAN2N3439L

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N3439L

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-5

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

1.42

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/368

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

800 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

800 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

450 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

350 V

辐射硬化

无