Microchip JAN2N3442

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-3-2

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3 (TO-204AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

Hubbell

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

6 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

20

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

70

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

140 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N3442

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

0.08 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N3442

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.22

Part Package Code

TO-3

包装

Tray

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/370

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

6 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

6 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

140 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 3A, 4V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 300mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

140 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

160 V

最大耗散功率(Abs)

117 W

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

10 A

集电极-发射器电压-最大值

140 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无