Microchip JAN2N3501UB

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

UB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

SY320-3

Manufacturer

Fagor Automation

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/85

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

300 mA

Base Product Number

2N3501

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1150 ns

Risk Rank

5.23

包装

Waffle

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/366

JESD-30代码

R-CDSO-N3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1.5

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150 V

最大集电极电流

300 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

150 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.3 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

300

集电极-发射器电压-最大值

150 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无