JAN2N3637详情
Microchip JAN2N3637重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-39 (TO-205AD)
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Transistor Polarity
PNP
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Number of Elements
1
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
Transistors
最大功率耗散
1 W
技术
Si
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
51 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
极性
PNP
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
功率耗散
1 W
扩频带宽
-
功率 - 最大
1 W
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
175 V
最大集电极电流
1 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
最大集极截止电流
10µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
175 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
175 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
绝对牵引范围 (APR)
-
连续集电极电流
1
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
JAN2N3637拓展信息
Microchip Technology
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