Microchip JAN2N3737

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-46-3

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080, 8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/395

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

500 mW

功率 - 最大

500 mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

900 mV

最大集电极电流

1.5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

辐射硬化

无