Microchip JAN2N3762

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5 A

Base Product Number

2N3762

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/396

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1 W

极性

PNP

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

1.5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 1A, 1.5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

900mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

辐射硬化

无