Microchip JAN2N3766

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N3766

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Package Description

TO-66, 2 PIN

Risk Rank

1.51

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/518

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

25 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/518C

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

25 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

25 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

4 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

60 V

辐射硬化

无