Microchip JAN2N3867S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

Manufacturer Part Number

XT4NU3150F66000XXX

Approvals

CSA, IEC, UL

Manufacturer

ABB

Mounting

Panel

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 mA

Base Product Number

2N3867

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Number of Elements

1

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/350

包装

Bulk

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

额定电流

150 A

极性

PNP

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

保护措施

Branch Circuit

端子类型

Bolt-On

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

3 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 2V

最大集极截止电流

100µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 250mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无