Microchip JAN2N4029

工厂交货时间

22 Weeks

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N4029

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.18

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

210 ns

Turn-on Time-Max (ton)

40 ns

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N4029

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/512

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

500 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/512

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无