Microchip JAN2N4150S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N4150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/394

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

70 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 1A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

70 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无