Microchip JAN2N4261UB

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N4261UB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

SOT

Package Description

SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4

Risk Rank

5.25

Number of Elements

1

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

3.5 ns

Turn-on Time-Max (ton)

2.5 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N4261

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/511

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/511

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

15 V