Microchip JAN2N5004

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

2220 (5750 Metric)

底架

Stud

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Vitramon

Product Status

活跃

Voltage Rated

3000V (3kV)

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5004

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Part Package Code

TO-59

Risk Rank

5.24

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

JAN2N5004

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

200 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

METAL

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Description

POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

HV

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.220 L x 0.200 W (5.59mm x 5.08mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

温度系数

X7R

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

1800 pF

子类别

Transistors

最大功率耗散

2 W

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/534C

JESD-30代码

O-MUPM-D3

资历状况

Qualified

失败率

-

极性

NPN

引线间距

-

配置

SINGLE

功率耗散

2 W

引线样式

-

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-59

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5.5 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

80 V

特征

高电压

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

-

厚度（最大）

0.106 (2.70mm)

辐射硬化

无

评级结果

-