Microchip JAN2N5151

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Sfernice

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

2N5151

系列

*

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

极性

PNP

功率耗散

1 W

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

2 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5.5 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无