Microchip JAN2N5237

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N5237

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N5237

Turn-on Time-Max (ton)

550 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

2000 ns

Risk Rank

5.22

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/394

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/394H

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

1 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120 V

最大集电极电流

10 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 1A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

120 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无