Microchip JAN2N5302

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

供应商器件包装

TO-3 (TO-204AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

ROUND

Package Body Material

METAL

Number of Elements

1

Risk Rank

5.2

Package Description

SIMILAR TO TO-3, 2 PIN

Part Package Code

TO-204AA

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N5302

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 A

Base Product Number

2N5302

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

60

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/456

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/456D

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5 W

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 15A, 2V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 6A, 30A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

30 A

最小直流增益（hFE）

5

连续集电极电流

30 A

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT