Microchip JAN2N5339U3

包装/外壳

TO-276AA

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

U-3 (TO-276AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Maximum DC Collector Current

5 A

Pd - Power Dissipation

75 W

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

3

DC Current Gain hFE Max

15

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N5339U3

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.27

Part Package Code

TO-276AA

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/560

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

引脚数量

5

参考标准

MIL-19500/560

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

最大集极截止电流

100µA

JEDEC-95代码

TO-276AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

5 A

集电极-发射器电压-最大值

100 V