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'jan2n5415'

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对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

材料

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

类型

端子表面处理

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

晶体管应用

极性/通道类型

产品类别

晶体管类型

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

JEDEC-95代码

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极基极电压(VCBO)

发射极基极电压 (VEBO)

集电极电流-最大值(IC)

最小直流增益(hFE)

集电极-发射器电压-最大值

产品类别

直径

辐射硬化

RoHS状态

JAN2N5415
JAN2N5415
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

NO

TO-5

4

SILICON

微芯片技术

CYLINDRICAL

METAL

无

JAN2N5415

1000 ns

ROUND

Microsemi Corporation

1

活跃

MICROSEMI CORP

10000 ns

1.66

Bulk

1 A

Discontinued at Digi-Key

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/485

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.21.00.95

BOTTOM

WIRE

compliant

MILITARY STANDARD (USA)

O-MBCY-W4

Qualified

SINGLE

COLLECTOR

750 mW

SWITCHING

PNP

PNP

30 @ 50mA, 10V

1mA

TO-5

2V @ 5mA, 50mA

200 V

-

1 A

30

200 V

JAN2N5415
JAN2N5415
Aeroflex 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

Si

-65

200

Military

通孔

6.6(Max)

3

TO-205-AA

TO-5

通孔

不合规

EAR99

无

无

双极电源

1

200

200

6

2@5mA@50mA

1

500000

30@50mA@10V|15@1mA@10V

750

Bag

活跃

PNP

Single

9.4(Max)

JAN2N5415
JAN2N5415
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

22 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

通孔

通孔

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

3

SILICON

1

750mW

-65°C~200°C TJ

Bulk

2007

Military, MIL-PRF-19500/485

e0

Discontinued

1 (Unlimited)

4

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

BOTTOM

WIRE

MILITARY STANDARD (USA)

O-MBCY-W4

Qualified

SINGLE

750mW

COLLECTOR

SWITCHING

PNP

PNP

200V

1A

30 @ 50mA 10V

1mA

2V @ 5mA, 50mA

200V

6V

无

Non-RoHS Compliant

JAN2N5415S
JAN2N5415S
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

22 Weeks

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

通孔

通孔

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

3

SILICON

1

750mW

-65°C~200°C TJ

Bulk

2002

Military, MIL-PRF-19500/485

e0

no

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

BOTTOM

WIRE

O-MBCY-W4

Qualified

SINGLE

750mW

COLLECTOR

SWITCHING

PNP

PNP

200V

1A

30 @ 50mA 10V

1mA

TO-5

2V @ 5mA, 50mA

200V

6V

无

Non-RoHS Compliant

JAN2N5415S
JAN2N5415S
Aeroflex 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

Si

-65

200

Military

通孔

6.6(Max)

3

TO-205-AF

TO-39

通孔

EAR99

无

无

双极电源

1

200

200

6

2@5mA@50mA

1

500000

30@50mA@10V|15@1mA@10V

不合规

750

Bag

活跃

PNP

Single

9.4(Max)

JAN2N5415S
JAN2N5415S
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

NO

TO-39 (TO-205AD)

4

SILICON

微芯片技术

活跃

JAN2N5415S

无

活跃

MICROSEMI CORP

TO-5

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

1.66

1

METAL

ROUND

CYLINDRICAL

未说明

10000 ns

1000 ns

N

Microchip / Microsemi

1

Bulk

1 A

2N5415

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/485

e0

无

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

8541.21.00.95

Transistors

Si

BOTTOM

WIRE

未说明

compliant

3

MIL-19500/485H

O-MBCY-W4

Qualified

SINGLE

COLLECTOR

750 mW

SWITCHING

PNP

BJTs - Bipolar Transistors

PNP

30 @ 50mA, 10V

1mA

TO-5

2V @ 5mA, 50mA

200 V

-

1 A

30

200 V

Bipolar Transistors - BJT

JAN2N5415UA
JAN2N5415UA
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

4-SMD, No Lead

UA

微芯片技术

50 µA

活跃

1

Microchip

Microchip / Microsemi

N

Bulk

-65°C ~ 200°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/485

Transistors

Si

750 mW

BJTs - Bipolar Transistors

PNP

30 @ 50mA, 10V

50µA

2V @ 5mA, 50mA

200 V

-

Bipolar Transistors - BJT

JAN2N5415U4
JAN2N5415U4
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3-SMD, No Lead

U4

微芯片技术

活跃

Bulk

50 µA

-65°C ~ 200°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/485

1 W

PNP

30 @ 50mA, 10V

50µA

2V @ 5mA, 50mA

200 V

-