JAN2N5581详情
Microchip JAN2N5581重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-46 (TO-206AB)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
LE4-206-AA2
Manufacturer
Klockner-Moeller, Div of Eaton Corp.
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800 mA
Base Product Number
2N5581
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Part Package Code
BCY
Risk Rank
5.27
Turn-off Time-Max (toff)
300 ns
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
ROUND
Turn-on Time-Max (ton)
35 ns
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
200 °C
操作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/423
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/423E
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-206AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
0.8 A
最小直流增益(hFE)
35
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JAN2N5581拓展信息
Microchip Technology
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