Jan2N5671
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Microchip Jan2N5671

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型号

Jan2N5671

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-Jan2N5671

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

0603 (1608 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 90V 30A TO3

起订量

1最小包装量--

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Jan2N5671
Jan2N5671 Microchip TRANS NPN 90V 30A TO3

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Jan2N5671详情

Microchip Jan2N5671重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    0603 (1608 Metric)

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-3

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Vishay Vitramon

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    25V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    30 A

  • Base Product Number

    2N5671

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    7 V

  • Pd - Power Dissipation

    6 W

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Maximum Operating Temperature

    + 200 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    20

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    5 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    -

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • DC Current Gain hFE Max

    100

  • RoHS

    N

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    90 V

  • Package Description

    TO-3, 2 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Part Package Code

    TO-3

  • Risk Rank

    5.23

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    1

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer Part Number

    JAN2N5671

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    50 MHz

  • Rohs Code

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C

  • 系列

    GA

  • 包装

    Tray

  • 尺寸/尺寸

    0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    X8R

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 应用

    汽车

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 电容量

    4700 pF

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • 参考标准

    MIL-19500/488C

  • JESD-30代码

    O-MBFM-P2

  • 资历状况

    Qualified

  • 失败率

    -

  • 引线间距

    -

  • 配置

    Single

  • 引线样式

    -

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 功率 - 最大

    6 W

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    20 @ 20A, 5V

  • 最大集极截止电流

    10mA

  • JEDEC-95代码

    TO-204AA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    5V @ 6A, 30A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    90 V

  • 频率转换

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    120 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    30 A

  • 最小直流增益(hFE)

    20

  • 连续集电极电流

    30 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    90 V

  • 特征

    -

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.038 (0.97mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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