Microchip Jan2N5745

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

PNP

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

DC Current Gain hFE Max

250

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

2 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N5745

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.24

Part Package Code

TO-204AA

包装

Tray

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/433

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/433F

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 10A, 2V

最大集极截止电流

100µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

200 W

集电极电流-最大值(IC)

20 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

20 A

集电极-发射器电压-最大值

80 V