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'jan2n5796'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

Collector-Emitter Saturation Voltage

厂商

操作温度

包装

系列

尺寸/尺寸

容差

温度系数

最高工作温度

最小工作温度

应用

电容量

子类别

技术

引线间距

配置

引线样式

功率 - 最大

产品类别

晶体管类型

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

最大集极截止电流

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

电压 - 集射极击穿(最大值)

频率转换

集电极基极电压(VCBO)

连续集电极电流

特征

产品类别

座位高度(最大)

厚度(最大)

辐射硬化

评级结果

Jan2N5796
Jan2N5796
Microchip 数据表

36 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

通孔

Surface Mount, MLCC

0805 (2012 Metric)

6

TO-78-6

Tape & Reel (TR)

VJ0805

活跃

1.6 V

50V

600mA

N

60 V

5 V

600 mW

PNP

Vishay Vitramon

+ 175 C

40

- 65 C

1

通孔

-

Microchip

Microchip / Microsemi

600 mW

-55°C ~ 125°C

Bulk

VJ HIFREQ

0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

±0.25pF

C0G, NP0

125 °C

-55 °C

RF, Microwave, High Frequency

8.2 pF

Transistors

Si

-

Dual

-

600mW

BJTs - Bipolar Transistors

2 PNP (Dual)

60 V

600 mA

100 @ 150mA, 10V

10µA (ICBO)

1.6V @ 50mA, 500mA

60V

-

60 V

600 mA

High Q, Low Loss

Bipolar Transistors - BJT

-

0.057 (1.45mm)

无

-

JAN2N5796U
JAN2N5796U
Microchip 数据表

2175 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面贴装

表面贴装

6-SMD, No Lead

6

6-SMD

ILME

微芯片技术

Bulk

600mA

2N5796

活跃

600 mW

Non-Compliant

1

Microchip / Microsemi

-65°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/496

125 °C

-55 °C

Transistors

Si

600mW

BJTs - Bipolar Transistors

2 PNP (Dual)

60 V

600 mA

100 @ 150mA, 10V

10µA (ICBO)

1.6V @ 50mA, 500mA

60V

-

60 V

Bipolar Transistors - BJT

无

JAN2N5796A
JAN2N5796A
Microchip 数据表

44 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-78-6 Metal Can

TO-78-6

N

微芯片技术

Bulk

600mA

2N5796

活跃

1

Microchip

Microchip / Microsemi

-65°C ~ 175°C (TJ)

Bulk

Military, MIL-PRF-19500/496

Transistors

Si

600mW

BJTs - Bipolar Transistors

2 PNP (Dual)

100 @ 150mA, 10V

10µA (ICBO)

1.6V @ 50mA, 500mA

60V

-

Bipolar Transistors - BJT