Jan2N5796详情
Microchip Jan2N5796重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
底架
通孔
引脚数
6
供应商器件包装
TO-78-6
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0805
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
600 mW
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
40
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ HIFREQ
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.25pF
温度系数
C0G, NP0
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
RF, Microwave, High Frequency
电容量
8.2 pF
子类别
Transistors
最大功率耗散
600 mW
技术
Si
引线间距
-
配置
Dual
引线样式
-
功率 - 最大
600mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
600 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
连续集电极电流
600 mA
特征
High Q, Low Loss
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.057 (1.45mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
Jan2N5796拓展信息
Microchip Technology
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