Jan2N5796
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Microchip Jan2N5796

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型号

Jan2N5796

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-Jan2N5796

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

0805 (2012 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NPN TRANSISTOR

起订量

1最小包装量--

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Jan2N5796
Jan2N5796 Microchip NPN TRANSISTOR

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Jan2N5796详情

Microchip Jan2N5796重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 安装类型

    Surface Mount, MLCC

  • 包装/外壳

    0805 (2012 Metric)

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    TO-78-6

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    VJ0805

  • 厂商

    Vishay Vitramon

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    50V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    600mA

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    5 V

  • Pd - Power Dissipation

    600 mW

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    40

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 65 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    通孔

  • Gain Bandwidth Product fT

    -

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip / Microsemi

  • RoHS

    N

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    60 V

  • 操作温度

    -55°C ~ 125°C

  • 系列

    VJ HIFREQ

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)

  • 容差

    ±0.25pF

  • 温度系数

    C0G, NP0

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 应用

    RF, Microwave, High Frequency

  • 电容量

    8.2 pF

  • 子类别

    Transistors

  • 最大功率耗散

    600 mW

  • 技术

    Si

  • 引线间距

    -

  • 配置

    Dual

  • 引线样式

    -

  • 功率 - 最大

    600mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 晶体管类型

    2 PNP (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    60 V

  • 最大集电极电流

    600 mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 150mA, 10V

  • 最大集极截止电流

    10µA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    1.6V @ 50mA, 500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

  • 频率转换

    -

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60 V

  • 连续集电极电流

    600 mA

  • 特征

    High Q, Low Loss

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 座位高度(最大)

    -

  • 厚度(最大)

    0.057 (1.45mm)

  • 辐射硬化

  • 评级结果

    -

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