注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥882.371719
10
¥832.426153
100
¥785.30769
500
¥740.856312
1000
¥698.921047
JAN2N5796U详情
Microchip JAN2N5796U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
底架
表面贴装
引脚数
6
供应商器件包装
6-SMD
Manufacturer
ILME
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Base Product Number
2N5796
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
Microchip / Microsemi
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/496
包装
Bulk
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
Transistors
最大功率耗散
600 mW
技术
Si
功率 - 最大
600mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
600 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
60 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
辐射硬化
无
JAN2N5796U拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。