Microchip Jan2N6032

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-3

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

90 V

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

140 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

DC Current Gain hFE Max

50

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TA)

系列

Military, MIL-PRF-19500/528

配置

Single

功率 - 最大

140 W

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 50A, 2.6V

最大集极截止电流

25mA (ICBO)

电压 - 集射极击穿（最大值）

90 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

连续集电极电流

50 A