Microchip Jan2N6033

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

140 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

DC Current Gain hFE Max

50

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

40 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

200 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N6033

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.24

Part Package Code

TO-204AA

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TA)

系列

Military, MIL-PRF-19500/528

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/528A

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

140 W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 40A, 2V

最大集极截止电流

25mA (ICBO)

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

150 V

最大耗散功率(Abs)

80 W

集电极电流-最大值(IC)

40 A

最小直流增益（hFE）

10

连续集电极电流

40 A

集电极-发射器电压-最大值

120 V