Microchip Jan2N6338

包装/外壳

TO-3-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-3

RoHS

N

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

NPN

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Pd - Power Dissipation

200 W

Gain Bandwidth Product fT

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40

DC Current Gain hFE Max

120

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/509

配置

Single

功率 - 最大

200 W

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10A, 2V

最大集极截止电流

50µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 2.5A, 25A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

连续集电极电流

25 A