Microchip JAN2N6352

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

4-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

底架

通孔

引脚数

4

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

Product Status

活跃

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

系列

SXT214

操作温度

-20°C ~ 70°C

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)

类型

兆赫晶体

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

频率

20 MHz

频率稳定性

±30ppm

ESR（等效串联电阻）

200 Ohms

极性

NPN

负载电容

10pF

元素配置

Single

操作模式

Fundamental

频率容差

±20ppm

功率 - 最大

2 W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 5mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

12 V

座位高度(最大)

0.020 (0.50mm)

辐射硬化

无