Microchip JAN2N6678

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-204AA (TO-3)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Schedule B

8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/85

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

Number of Elements

1

Current-Collector (Ic) (Max)

15 A

Base Product Number

2N6678

Package Description

TO-204AA, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

15 MHz

Manufacturer Part Number

JAN2N6678

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.18

Part Package Code

TO-3

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8008B

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

6 W

技术

Si

电压 - 供电

3.3V

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

100 MHz

频率稳定性

±50ppm

输出量

HCMOS, LVCMOS

引脚数量

2

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MBFM-P2

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

MEMS

最大电流源

4.5mA

资历状况

Qualified

电流 - 电源（禁用）（最大值）

4.3µA

配置

SINGLE

功率耗散

3 W

箱体转运

COLLECTOR

扩频带宽

-

功率 - 最大

6 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

15 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 1A, 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 3A, 15A

电压 - 集射极击穿（最大值）

400 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

650 V

最大耗散功率(Abs)

175 W

发射极基极电压 (VEBO)

8 V

绝对牵引范围 (APR)

-

集电极电流-最大值(IC)

15 A

最小直流增益（hFE）

8

最大结点温度（Tj）

200 °C

集电极-发射器电压-最大值

400 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

辐射硬化

无

评级结果

-