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'jan2n6766'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

终端数量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

HTS代码

子类别

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

JAN2N6766
JAN2N6766
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

2

SILICON

JAN2N6766

无

Obsolete

MICROSEMI CORP

BFM

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

5.19

30 A

1

METAL

ROUND

FLANGE MOUNT

未说明

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

8541.29.00.95

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

unknown

2

MIL-19500/543G

O-MBFM-P2

Qualified

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-204AE

0.085 Ω

120 A

200 V

500 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JAN2N6766
JAN2N6766
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Lead, Tin

通孔

通孔

TO-204AE

3

SILICON

30A Tc

10V

1

4W Ta 150W Tc

4V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Bulk

1997

Military, MIL-PRF-19500/543

e0

Obsolete

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

8541.29.00.95

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

未说明

O-MBFM-P2

Qualified

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

90m Ω @ 30A, 10V

115nC @ 10V

200V

±20V

30A

20V

0.085Ohm

120A

200V

500 mJ

unknown

Non-RoHS Compliant

JAN2N6766T1
JAN2N6766T1
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

3

3

SILICON

FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

FLANGE MOUNT

UNSPECIFIED

未说明

150 °C

JAN2N6766T1

SQUARE

Microsemi Corporation

1

Obsolete

MICROSEMI CORP

5.75

TO-254AA

30 A

e0

无

EAR99

锡铅

FET 通用电源

SINGLE

PIN/PEG

未说明

MIL-19500/543

S-XSFM-P3

Qualified

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

ISOLATED

N-CHANNEL

TO-254AA

30 A

0.065 Ω

200 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

150 W

compliant

JAN2N6766T1
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

通孔

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

3

SILICON

30A Tc

10V

1

4W Ta 150W Tc

4V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Bulk

1997

Military, MIL-PRF-19500/543

e0

no

Obsolete

1 (Unlimited)

3

EAR99

锡铅

SINGLE

PIN/PEG

Qualified

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

ISOLATED

N-Channel

90m Ω @ 30A, 10V

115nC @ 10V

200V

±20V

30A

20V

0.065Ohm

200V

无

Non-RoHS Compliant