Microchip JAN2N6766

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N6766

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BFM

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

30 A

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/543G

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AE

漏极-源极导通最大电阻

0.085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR