对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 子类别 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JAN2N6766 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 2 | SILICON | JAN2N6766 | 无 | Obsolete | MICROSEMI CORP | BFM | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 5.19 | 30 A | 1 | METAL | ROUND | FLANGE MOUNT | 未说明 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier | 8541.29.00.95 | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500/543G | O-MBFM-P2 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-204AE | 0.085 Ω | 120 A | 200 V | 500 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6766 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Lead, Tin | 通孔 | 通孔 | TO-204AE | 3 | SILICON | 30A Tc | 10V | 1 | 4W Ta 150W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/543 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier | 8541.29.00.95 | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | 未说明 | O-MBFM-P2 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 90m Ω @ 30A, 10V | 115nC @ 10V | 200V | ±20V | 30A | 20V | 0.085Ohm | 120A | 200V | 500 mJ | unknown | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6766T1 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | 3 | SILICON | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | JAN2N6766T1 | SQUARE | Microsemi Corporation | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.75 | TO-254AA | 30 A | e0 | 无 | EAR99 | 锡铅 | FET 通用电源 | SINGLE | PIN/PEG | 未说明 | MIL-19500/543 | S-XSFM-P3 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-CHANNEL | TO-254AA | 30 A | 0.065 Ω | 200 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150 W | compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
JAN2N6766T1 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | 3 | SILICON | 30A Tc | 10V | 1 | 4W Ta 150W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/543 | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 锡铅 | SINGLE | PIN/PEG | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-Channel | 90m Ω @ 30A, 10V | 115nC @ 10V | 200V | ±20V | 30A | 20V | 0.065Ohm | 200V | 无 | Non-RoHS Compliant |



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