Microchip JAN2N6989

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

供应商器件包装

TO-116

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N6989

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DIP

Package Description

DIP-14

Risk Rank

5.22

Number of Elements

4

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Base Product Number

2N6989

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Unit Weight

0.014110 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

包装

Tube

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

14

参考标准

MIL-19500/559F

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

Qualified

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

MOSFET

晶体管类型

4 NPN (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-116

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

MOSFET