JAN2N6989U详情
Microchip JAN2N6989U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
触点镀层
Lead, Tin
底架
表面贴装
供应商器件包装
6-SMD
Transistor Polarity
NPN
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
800mA
Base Product Number
2N6989
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/559
包装
Bulk
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
MOSFETs
最大功率耗散
1 W
技术
Si
功率 - 最大
1W
产品类别
MOSFET
晶体管类型
4 PNP (Quad)
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
800 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
75 V
连续集电极电流
800
产品类别
MOSFET
JAN2N6989U拓展信息
Microchip Technology
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