Microchip JAN2N6990

表面安装

YES

包装/外壳

FlatPack-14

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

14-Flatpack

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N6990

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DFP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F14

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Elements

1

Risk Rank

5.27

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Base Product Number

2N6990

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

14

参考标准

MIL-19500/559

JESD-30代码

R-PDSO-F14

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率 - 最大

400mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

MOSFET

晶体管类型

4 NPN (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

MOSFET